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J-GLOBAL ID：200903064060557954

半導体装置の製造方法

Inventor： 諸沢 成浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994325484
Publication number (International publication number)：1996181324
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 移動度、閾値電圧、S係数等のTFT特性を向上させることができ、また、多結晶シリコンの半導体層の表面層に付着された不純物やパーティクルの除去効果により絶縁耐圧頻度特性に優れたTFTを得る【構成】 ガラス基板1上に多結晶シリコン膜を成膜し、多結晶シリコン膜を所定形状にパターニングして半導体層2を形成した後に、ガラス基板1及び半導体層2上にゲート絶縁膜4を成膜してなる半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜4を成膜する前に、半導体層2をアンモニアと過酸化水素水との混合液により洗浄を行い、洗浄によりエッチングされる半導体層2の表面層3の膜厚を5〔nm〕以下にし、その後引き続き塩酸と過酸化水素水との混合液により洗浄を行っている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に多結晶シリコン膜を成膜し、該多結晶シリコン膜を所定形状にパターニングして半導体層を形成した後に、該絶縁基板及び半導体層上に絶縁膜を成膜してなる半導体装置の製造方法において、上記絶縁膜を成膜する前に、上記半導体層をアンモニアと過酸化水素水との混合液により洗浄を行い、該洗浄によりエッチングされる半導体層の表面層の膜厚を5〔nm〕以下にし、その後引き続き塩酸と過酸化水素水との混合液により洗浄を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 27/12