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J-GLOBAL ID：200903064070379175

光電子集積回路用薄膜抵抗およびレーザダイオードアレイ

Inventor： グォ-ピン リー ,  アニエス マルギッタ ,  トレバー ジョーンズ ,  ジョアンニー マークス ,  フランク アール.シェファード
Applicant, Patent owner： ノーザン・テレコム・リミテッド
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009795
Publication number (International publication number)：1997237703
Application date： Jan. 22, 1997
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗性、優れた制御性および安定性をバランスよく得ることができる半導体レーザアレイ用の抵抗ヒータに特化した薄膜抵抗を提供し、波長特性が精度良く調整され得るレーザダイオードアレイを提供すること。【解決手段】 光電子集積回路用の薄膜抵抗であり、チタン上に白金が積層された2層構造をなし、安定した低抵抗値を有する薄膜抵抗が得られる。薄膜抵抗は、300°Cあるいはそれ以上の高温での動作時に、湿気による劣化を低減させるために、例えば、二酸化シリコンや窒化シリコンのような絶縁層で封止されているとよい。抵抗は、二酸化シリコンや窒化シリコンや半導体を含む種々の材料でできた基板上に作製され得る。光電子集積回路において、半導体レーザアレイの波長特性を精度良く調整するために集積化される抵抗ヒータとして、この薄膜抵抗を適用することができる。

Claim (excerpt)：

抵抗部および複数のコンタクト部を有しており、前記抵抗部がチタンからなる第1層および白金からなる上層の2層構造をなしていることを特徴とする光電子集積回路用薄膜抵抗。

IPC (3)：

H01C 7/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01C 7/00 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01S 3/18