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J-GLOBAL ID：200903064080517509

絶縁膜の平坦化方法

Inventor： 橋 本 毅 ,  徳 永 恭 二
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992051260
Publication number (International publication number)：1993259134
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】アルカリ金属による汚染の問題がなく、パーティクルの発生もなく、また加工圧力を小さくして加工歪の残留を低減し、その加工歪の残留による悪影響等の問題を生じずに、絶縁膜をメカノケミカルポリシングにより平坦化することができる方法の提供。【構成】半導体基板上に形成された絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施して、絶縁膜表面を平坦化する方法であって、フッ化水素酸水溶液に研磨剤を懸濁させてなる研磨液を用いる絶縁膜の平坦化方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施して、絶縁膜表面を平坦化する方法であって、フッ化水素酸水溶液に研磨剤を懸濁させてなる研磨液を用いる絶縁膜の平坦化方法。