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J-GLOBAL ID：200903064088964083

強誘電性液晶素子

Inventor： 谷口 修 ,  吉永 和夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995117690
Publication number (International publication number)：1995306421
Application date： Jun. 27, 1990
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 均一配向性に優れた、高コントラストの強誘電性液晶素子を提供する。【構成】 一対の基板上に互に交差した透明電極及び少なくとも一方の基板上の該透明電極上に一軸性を有する高分子液晶膜を形成し、該一対の基板間に強誘電性液晶のらせん構造を解除するのに十分に薄い膜厚に設定した強誘電性液晶を配置した強誘電性液晶素子において、前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック液晶であって、かつカイラルスメクチック相より高温においてスメクチックA相を有していない強誘電性液晶素子。

Claim (excerpt)：

一対の基板上に互に交差した透明電極及び少なくとも一方の基板上の該透明電極上に一軸性を有する高分子液晶膜を形成し、該一対の基板間に強誘電性液晶のらせん構造を解除するのに十分に薄い膜厚に設定した強誘電性液晶を配置した強誘電性液晶素子において、前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック液晶であって、かつカイラルスメクチック相より高温においてスメクチックA相を有していないことを特徴とする強誘電性液晶素子。

IPC (2)：

G02F 1/141 ,  G02F 1/1337 510

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-042618
  
• 特開昭63-077019
  
• 特開平1-113727