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J-GLOBAL ID：200903064093999936
薄膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
臼村 文男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096108
Publication number (International publication number)：1997263937
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 複合金属化合物を任意に得ることができ、任意の屈折率や組成を有する薄膜を製造でき、中間屈折率の薄膜、屈折率が厚さ方向で変化する薄膜、複合金属酸化物薄膜などを得ることができる。ルゲートフィルタ(Rugate Filter)、反応防止膜、ITO等の透明導電膜、強誘電性膜、多金属酸化膜、窒化膜、フッ化膜などに応用できる。【解決手段】 第1の金属をスパッタして超薄膜を形成する第1スパッタ帯域と、第1の金属とは異なる第2の金属をスパッタして超薄膜を形成する第2スパッタ帯域と、これら第1および第2の金属を反応せしめて酸化物等の金属化合物に変換する反応帯域とに、基板を順次、繰り返して搬送せしめ、基板上に第1および第2の金属の複合化合物からなる薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
Claim (excerpt)：
第1の金属ないし半導体をスパッタして超薄膜を形成する第1スパッタ帯域と、第1の金属ないしは半導体とは異なる第2の金属ないしは半導体をスパッタして超薄膜を形成する第2スパッタ帯域と、これら第1および第2の金属ないしは半導体をそれぞれ、あるいは同時に反応せしめて酸化物等の金属化合物に変換する反応帯域とに、基板を順次、繰り返して搬送せしめ、基板上に第1および第2の金属の複合化合物からなる薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, H01L 21/203
C23C 14/34 S
, C23C 14/08 N
, C23C 14/08 K
, H01L 21/203 S
