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J-GLOBAL ID：200903064100889483

金属/樹脂接着構造体及び樹脂封止型半導体装置とその製造方法

Inventor： 梶原 良一 ,  元脇 成久 ,  伊藤 和利 ,  宝蔵寺 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 井上 学 ,  戸田 裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008020045
Publication number (International publication number)：2009182159
Application date： Jan. 31, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：

【課題】 樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム等の金属部材と封止樹脂の界面剥離が原因で、温度サイクル寿命が大幅に低下している。樹脂の剥離を防いで半導体装置の高信頼化を図る。【解決手段】 半導体組立構造体にNiやCuと比較して酸素との結合力が強いZnやZrなどの金属種の有機金属化合物溶液を塗布し、酸化雰囲気中で加熱・焼成処理し、構造体の金属部材と封止樹脂の界面に厚さ5〜600nm程度で表面に微細な凹凸が形成された酸化物の皮膜を形成した構造とした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属部材と高分子樹脂の接着構造体において、 金属部材の表面に350°C以下の温度で分解する有機金属化合物を含む溶液を塗布する工程と、 酸化雰囲気中で有機金属化合物を加熱処理して金属酸化物を含む皮膜を金属部材表面に形成する工程と、 金属酸化物を含む皮膜の上に高分子樹脂を供給し、高分子樹脂を硬化処理して金属部材と高分子樹脂の接着構造を得る工程と、 を有することを特徴とする金属/樹脂接着構造体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/50 ,  H01L 23/13

FI (5)：

H01L21/56 H ,  H01L21/56 T ,  H01L23/30 R ,  H01L23/50 H ,  H01L23/12 C

F-Term (13)：

4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EC09 ,  4M109ED07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061CB12 ,  5F067AA04 ,  5F067DE01 ,  5F067EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 配線部材、樹脂付金属部品及び樹脂封止半導体装置、並びにこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-208763   Applicant：松下電器産業株式会社
• クロムを含まない変色防止・接着促進処理組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-525381   Applicant：オリンコーポレイション
• 特開昭58-202556
  

Cited by examiner (1)

• 特開昭58-202556