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J-GLOBAL ID：200903064114885405

1(4H)-ナフタレノン誘導体の製造法

Inventor： 石井 康敬 ,  中野 達也 ,  岩浜 隆裕
Applicant, Patent owner： ダイセル化学工業株式会社
Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006062136
Publication number (International publication number)：2007238493
Application date： Mar. 08, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】1(4H)-ナフタレノン誘導体を簡便に且つ収率よく製造する方法の提供。【解決手段】パラジウム化合物触媒と、ヘテロポリ酸若しくはP又はSiの元素と、V、Mo及びWから選択された元素とを含むオキソ酸からなる触媒の存在下、スチレン誘導体を一酸化炭素と反応させて、式(2)(R1〜R5は水素又は非金属原子含有基を示す)で表される1(4H)-ナフタレノン誘導体を得る。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

パラジウム化合物触媒(A)と、ヘテロポリ酸若しくはその塩(B1)、又は全体として、P又はSiの元素と、V、Mo及びWから選択された少なくとも1つの元素とを含むオキソ酸若しくはその塩の混合物(B2)からなる触媒(B)の存在下、下記式(1)

IPC (3)：

C07C 45/49 ,  C07C 49/643 ,  C07C 49/755

FI (3)：

C07C45/49 ,  C07C49/643 ,  C07C49/755

F-Term (16)：

4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006AC44 ,  4H006BA12 ,  4H006BA14 ,  4H006BA25 ,  4H006BA30 ,  4H006BA32 ,  4H006BA33 ,  4H006BA35 ,  4H006BA75 ,  4H006BE40 ,  4H039CA40 ,  4H039CA62 ,  4H039CF90 ,  4H039CH40