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J-GLOBAL ID：200903064140012622
光透過型半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993160019
Publication number (International publication number)：1994347830
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、SOI基板上に形成された素子を、Si基板エッチングによって薄膜化し、光透過可能とする際、基板応力による皺や、破れ、配線の断線等の欠陥のない光透過型半導体装置を実現することにある。【構成】 絶縁物101,102上に単結晶半導体層110を有する光透過型半導体装置の製造方法において、前記基体の内部応力を引っ張り応力とする応力調節層104を含む多層膜構造を形成する工程と、前記工程後、前記基体下部の前記絶縁物領域101を除去して光透過性基体とする工程とを、含むことを特徴とする光透過型半導体装置の製造方法及びそれによる光透過型半導体装置であり、前記応力調節層として、LP-SiNx膜を形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
絶縁物上に単結晶半導体層を有する光透過型半導体装置の製造方法において、前記基体の内部応力を引っ張り応力とする応力調節層を含む多層膜構造を形成する工程と、前記工程後、前記基体下部の前記絶縁物領域を除去して光透過性基体とする工程とを、含むことを特徴とする光透過型半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, H01L 21/336
, H01L 29/784
