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J-GLOBAL ID：200903064150102620

酸化物強誘電薄膜の製造方法

Inventor： 渡辺 俊二 ,  田中 彰 ,  服部 徹夫
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 西澤 利夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305126
Publication number (International publication number)：1993139895
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン単結晶基板上に良質の強誘電薄膜を形成する。【構成】 シリコン単結晶基板上に緩衝層として酸化マグネシウム薄膜を形成し、次いで酸化物強誘電薄膜を緩衝層表面上に成長させる。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に緩衝層として酸化マグネシウム薄膜を形成後、酸化物強誘電薄膜を緩衝層表面上に成長させることを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/32 ,  C04B 35/49 ,  C23C 14/00 ,  C30B 23/02 ,  C30B 23/08 ,  H01B 3/12 301