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J-GLOBAL ID：200903064155625973

高誘電率薄膜の製造方法

Inventor： 山口 弘 ,  ピエール・イブ ルセシェール ,  吉田 政次
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203790
Publication number (International publication number)：1995058292
Application date： Aug. 18, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 有機金属あるいはアルコキシド、錯体等の有機基を含む金属化合物を用いるCVDにおいて、20nm以下の膜厚の高誘電率膜では酸素または活性な酸素により容易に膜中のCが取り除かれることを利用して高誘電率を有しリーク電流の低い高誘電率薄膜を提供する。【構成】 有機金属あるはアルコキシド、錯体等の有機基を含む金属化合物を用いて化学気相堆積法により、高誘電率薄膜を製造する方法において、金属酸化物薄膜の作製と酸素中あるいは活性化した酸素中での熱処理を繰り返すことにより所定の膜厚の高誘電率薄膜を作製する事を特徴とする高誘電率薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

有機金属あるいはアルコキシド、錯体等の有機基を含む金属化合物を用いて化学気相堆積法により高誘電率薄膜を製造する方法において、20nm以下の金属酸化物薄膜を堆積し、酸素雰囲気中で熱処理することを繰り返すことにより所定の膜厚の高誘電率薄膜を作製する事を特徴とする高誘電率薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/314