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J-GLOBAL ID：200903064160566772

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 浅井 市郎 ,  加藤 典司
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991084661
Publication number (International publication number)：1993160151
Application date： Mar. 25, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高均一・高性能なpoly-SiTFTを提供するものである。【構成】本発明は、絶縁性基板上に堆積したアモルファスシリコン(以下「a-Si」という)層をエキシマレーザの照射により結晶化し多結晶シリコン(以下「poly-Si」という)層とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記a-Si層をエキシマレーザの照射により結晶化しpoly-Si層とする際に、前記a-Si層が結晶化しpoly-Si層となるしきい値エネルギー密度より高く、かつ前記a-Si層から結晶化したpoly-Si層の表面平坦性が40%となるエネルギー密度より低い第1のエネルギー密度光を照射し、次に前記第1のエネルギー密度光によって形成された前記poly-Si層のグレイン内部およびグレイン境界に残る欠陥を溶融しうる第2のエネルギー密度光を照射することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に堆積したアモルファスシリコン(以下「a-Si」という)層をエキシマレーザの照射により結晶化し多結晶シリコン(以下「poly-Si」という)層とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記a-Si層をエキシマレーザの照射により結晶化しpoly-Si層とする際に、前記a-Si層が結晶化しpoly-Si層となるしきい値エネルギー密度より高く、かつ前記a-Si層から結晶化したpoly-Si層の表面平坦性が40%となるエネルギー密度より低い第1のエネルギー密度光を照射し、次に前記第1のエネルギー密度光によって形成された前記poly-Si層のグレイン内部およびグレイン境界に残る欠陥を溶融しうる第2のエネルギー密度光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12