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J-GLOBAL ID：200903064160598950

有機薄膜トランジスタ

Inventor： 南方 尚
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991215748
Publication number (International publication number)：1993055568
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の課題は、製造が容易でかつ表面性、平滑性に優れた膜質を有し、かつすぐれた電気的特性を兼ね備えた有機トランジスタを提供することを目的とするものである。【構成】 ドーピングが施された縮合ベンゼン環の数が4以上13以下である縮合多環芳香族化合物薄膜を用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタである。本発明のトランジスタはアクセプタまたはドナー分子がドーピングされた縮合多環芳香族化合物の半導体特性を利用したものである。【効果】 本発明のトランジスタは通常の無機材料、有機材料の半導体素子と異なり作製が容易でありかつ優れた電気的特性を示す。該トランジスタの製造において基板温度が常温で行えるため種々の基板上にトランジスタが形成可能である。また、膜質として表面性・平滑性などに優れるため工業上有用である。

Claim (excerpt)：

ドーピングが施された縮合ベンゼン環の数が4以上13以下である縮合多環芳香族化合物薄膜を用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/28