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J-GLOBAL ID：200903064160674346

面発光レーザの製造方法及び該方法により製造された面発光レーザ

Inventor： 栗原 香
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997182511
Publication number (International publication number)：1999026870
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 信頼性が高く、発光効率の良い面発光レーザの製造方法及び該方法により製造された面発光レーザを提供する。【解決手段】 第一導電型基板上に、第一導電型半導体多層反射膜、第一導電型クラッチ層、活性層第二導電型クラッド層、接着層を成長した後、接着層を素子の領域を残してエッチングする工程と別の半絶縁性基板上に第二導電型半導体多層反射膜と接着層を成長する工程と両基板を接着させる工程と半絶縁性基板側をエッチングして半絶縁基板を除去する工程と、露出した第二導電型半導体多層反射膜の上面に形成した素子部分より大きいマスクを用いてイオン注入又はエッチイングにより隣接した素子への絶縁性を確保する工程と第一導電型半導体多層膜を露出させてその上部電極を作製し、第二導電型半導体多層反射膜の上部に電極を作製する工程を用いることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型基板上に、第1導電型半導体多層反射膜、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、接着層を成長した後、接着層を素子の領域を残してエッチングする工程と、別の半絶縁性基板上に第2導電型半導体層反射膜と接着層を成長する工程と、両基板の接着層を接触させて水素雰囲気中で加圧しつつ加熱して両基板を接着させる工程と、半絶縁性基板側を第2導電型半導体多層膜に達するまでエッチングして半絶縁性基板を除去する工程と、露出した第2導電型半導体多層反射膜の上面に素子部分よりも十分大きいマスクを形成し、そのマスクを用いてイオン注入またはエッチングを行って隣接した素子への絶縁性を確保する工程と、裏面もしくは、エッチングなどにより第1導電型半導体多層膜を露出させてその上部に電極を作製し、第2導電型半導体多層反射膜の上部に電極を作製する工程を用いることを特徴とする面発光レーザの製造方法。