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J-GLOBAL ID：200903064161893530

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 片山 琢
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096655
Publication number (International publication number)：1994291364
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 各発光素子の膜厚を厚くしたままで高密度化した発光ダイオードアレイとその製造方法を提供する。【構成】 n型基板1上にn型バッファ層2、n型クラッド層3、p型活性層4、p型下部クラッド層5、n型電流狭窄層6が順次積層されており、このn型電流狭窄層6は、アレイ方向に溝が形成されている。そして、その上にp型上部クラッド層7が積層され、p型コンタクト層8及び電極9が設けられている。また、各発光素子は、p型上部クラッド層7に設けられているエッチング溝でアレイ方向と垂直方向に分割されており、この溝とn型電流狭窄層6によって、各発光素子が電気的に分離されている。そして、n型電流狭窄層6の溝の下部のp型活性層4が発光部4aとなっており、電極9は、この発光部4aの上部を避けて設けられているので、発光される光を遮らず、発光効率が高くなる。

Claim (excerpt)：

pn接合を有する化合物半導体に列状に形成された複数の発光素子を有する半導体発光装置において、前記各発光素子は、前記列状方向と平行方向に設けられた電流狭窄層と、前記列状方向と垂直方向に前記電流狭窄層まで設けられたエッチング溝とによって電気的に分離されていることを特徴とする半導体発光装置。