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J-GLOBAL ID：200903064164295234

半導体装置の製造方法

Inventor： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  小林 倫子 ,  大倉 嘉之 ,  内藤 正規
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203230
Publication number (International publication number)：1996070000
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法に関し、有機系高分子材料を出発物質として絶縁膜を形成する際にクラック及び脱ガスの発生を抑制すること。【構成】一般式(RSiH)n で示される珪素重合体から絶縁膜を形成する工程を有することを含む。

Claim (excerpt)：

一般式(RSiH)n で示される珪素重合体から絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法(Rは炭化水素、Siは珪素、Hは水素を表す)。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768