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J-GLOBAL ID：200903064164319214

半導体結晶の製造方法

Inventor： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  湖東 雅弘
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999353044
Publication number (International publication number)：2001168042
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 大面積のGaN結晶を得ること、及び通常のマスク層を用いるELO成長に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされ、凹面12にマスク3が形成された基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、マスク3が存在するため、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。従って(b)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位20が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部11の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹部に空洞部13を残したまま、基板1の凹凸面を覆うように半導体結晶2を成長する。しかる後、(d)図のように空洞部13の部分において、半導体結晶2を分離する。

Claim (excerpt)：

基板の結晶成長面を凹凸面とし、気相成長法により該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長させることで前記凹凸面が半導体結晶で覆われると共に、この半導体結晶層と前記凹凸面における凹部との間に空洞部を具備する積層体を作製し、前記空洞部分において半導体結晶と基板とを分離することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (35)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35