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J-GLOBAL ID：200903064166209190

n型SiC用電極とその形成方法

Inventor： 太田 潔 ,  古賀 和幸 ,  國里 竜也 ,  鈴木 順子
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993055936
Publication number (International publication number)：1994045651
Application date： Mar. 16, 1993
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 炭化ケイ素発光ダイオード素子の高輝度化を実現できるn型SiC用オーミック電極とその形成方法を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC基板1上に、高反射率金属(Ag)高含有層7と、Ni高含有層8をこの順序で構成したオーミック電極9を形成した。

Claim (excerpt)：

n型SiC上に形成されたNiと高反射率金属からなる電極を備え、該電極は前記n型SiC側に高反射率金属を高含有することを特徴とするn型SiC用電極。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301