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J-GLOBAL ID：200903064174116680

電磁波シールド層形成方法

Inventor： 佐藤 一也 ,  奥野 晴彦
Applicant, Patent owner： 奥野製薬工業株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000062140
Publication number (International publication number)：2001251085
Application date： Mar. 07, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】プラスチック容器に対して、重量増加を極力抑えた上で、広域周波数帯において良好な電磁波シールド効果を有し、耐腐食性に優れ、美観も良好な電磁波シールド層を簡単に形成できる方法を提供する。【解決手段】プラスチック容器に、電気めっき法によって厚さ5〜15μmの銅めっき皮膜を形成することを特徴とする電磁波シールド層の形成方法。

Claim (excerpt)：

プラスチック容器に導電性皮膜を形成した後、電気めっき法によって厚さ5〜15μmの銅めっき皮膜を形成することを特徴とするプラスチック容器に電磁波シールド層を形成する方法。

IPC (2)：

H05K 9/00 ,  B32B 15/08

FI (2)：

H05K 9/00 D ,  B32B 15/08 F

F-Term (29)：

4F100AB13E ,  4F100AB16D ,  4F100AB17B ,  4F100AB17C ,  4F100AK01A ,  4F100AK74A ,  4F100AR00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10C ,  4F100BA10E ,  4F100DA01 ,  4F100EH71C ,  4F100EH71D ,  4F100EH71E ,  4F100EJ15A ,  4F100EJ64A ,  4F100EJ85A ,  4F100GB41 ,  4F100GB48 ,  4F100JB02 ,  4F100JD08 ,  4F100JG01B ,  4F100YY00C ,  5E321AA01 ,  5E321BB23 ,  5E321BB25 ,  5E321GG05