Pat
J-GLOBAL ID:200903064176516180

低熱膨張セラミックスおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997292765
Publication number (International publication number):1999130520
Application date: Oct. 24, 1997
Publication date: May. 18, 1999
Summary:
【要約】【課題】低熱膨張を有するとともに高剛性を有する低熱膨張セラミックスとその製造方法を提供する。【解決手段】コージェライトを80〜92重量%、希土類元素(RE)の酸化物を8〜20重量%の割合で配合した成形体、さらには、この成形体を真空中で1300〜1500°Cの温度で焼成した後、1000°Cまでを10°C/min以下の速度で冷却して、コージェライトを主相として、その粒界にRE2 O3 ・2SiO2 で表される結晶相を析出させて、相対密度95%以上、10〜40°Cにおける熱膨張率が0.5×10-6/°C以下、ヤング率が120GPa以上の、特に露光装置用ステージなどの半導体製造装置用部品等に適した低熱膨張セラミックスを得る。
Claim (excerpt):
コージェライトを80〜92重量%、希土類元素(RE)の酸化物を8〜20重量%の割合で含み、相対密度95%以上であり、且つコージェライト結晶の粒界に、RE2 O3 ・2SiO2 で表されるダイシリケート結晶相が析出してなることを特徴とする低熱膨張セラミックス。
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開平2-026863
  • 特開昭57-038371
  • 特開昭54-100409
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-026863
  • 特開昭57-038371
  • 特開昭54-100409

Return to Previous Page