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J-GLOBAL ID：200903064193647352

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 土本 淳一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068185
Publication number (International publication number)：1994283612
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド膜を含む配線層に対して、低抵抗のコンタクトを実現する半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン電極30,31は、シリコン層8,20とこのシリコン層8,20の上に形成された高融点金属シリサイド層10,22とを含む配線層のシリコン層8,20に接続されている。これにより、高融点金属シリサイド層表面に形成される自然酸化膜に影響されることなく良好なシリコン電極と配線層とのコンタクトを得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン層と前記シリコン層の上に形成された高融点金属シリサイド層とを含む配線層と、前記配線層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを通じて、前記配線層に電気的に接続されたシリコン電極と、を備え、前記シリコン電極は、前記シリコン層に接続されている半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301