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J-GLOBAL ID：200903064195691790

円筒型電解セル

Inventor： 坂田 文稔
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995286024
Publication number (International publication number)：1997129258
Application date： Nov. 02, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】電解するガスの流れの下流側に位置する単素子では、電解するガスの濃度が低下し、電極における過電圧が増加する。そのため、電解するガス流れの下流に位置する単素子ほど、付加される電圧が増加し、最下流側の単素子の電解質に損傷を生じる。【解決手段】円筒状の電解質(21 〜25 )の内面にカソード(31 〜35 )をかつ外面にアノード(41 〜45 )を夫々形成した単素子(11 〜15 )を、複数個電気的に直列に接続してなる円筒型電解セルにおいて、電解するガス流れの下流側に位置する単素子ほど、単素子を構成する電解質の酸素イオンの移動方向の肉厚を薄くすることを特徴とする円筒型電解セル。

Claim (excerpt)：

円筒状の電解質の内面にカソードをかつ外面にアノードを夫々形成した単素子を、複数個電気的に直列に接続してなる円筒型電解セルにおいて、電解するガス流れの下流側に位置する単素子ほど、単素子を構成する電解質の酸素イオンの移動方向の肉厚を薄くすることを特徴とする円筒型電解セル。