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J-GLOBAL ID：200903064196630108

半導体装置の製造方法

Inventor： 安藤 秀泰
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256960
Publication number (International publication number)：1994112123
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ガスソースMBE法を用いたIII-V族化合物半導体の製造方法に関し、カーボンのドープ源となるIII族元素を用いて高濃度カーボンドープp型層を成長させた後、カーボンのメモリ効果を極力抑制して次層のドーピングレベルを制御できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 カーボンのドープ源となる第1のIII族元素の有機化合物をIII族元素ソースとして用いてカーボンドープのp型III-V族化合物半導体層を成長させるカーボンドープ成長工程と、その後、カーボンのドープ源となり難い第2のIII族元素の有機化合物のみをIII族元素ソースとして用い、前記第1のIII族元素の有機化合物が容易には分解しにくい成長温度で、V族元素のモル供給率とIII族元素のモル供給率の比、V/III比、を10以上としてカーボン含有量の低いIII-V族化合物半導体層を成長させるカーボンノンドープ成長工程とを含む。

Claim (excerpt)：

カーボンのドープ源となる第1のIII族元素の有機化合物をIII族元素ソースとして用いてカーボンドープのp型III-V族化合物半導体層を成長させるカーボンドープ成長工程と、その後、カーボンのドープ源となり難い第2のIII族元素の有機化合物のみをIII族元素ソースとして用い、前記第1のIII族元素の有機化合物が容易には分解しにくい成長温度で、V族元素のモル供給率とIII族元素のモル供給率の比、V/III比、を10以上としてカーボン含有量の低いIII-V族化合物半導体層を成長させるカーボンノンドープ成長工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73