Pat

J-GLOBAL ID：200903064200729173

薄膜半導体太陽電池

Inventor： 中川 克己 ,  遠山 上 ,  山下 敏裕 ,  塩崎 篤志 ,  金井 正博 ,  福岡 貴裕 ,  吉野 豪人
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361503
Publication number (International publication number)：1994204537
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プロセス条件に影響を受けずに高い変換効率を得ることができる裏面反射層を有する薄膜半導体太陽電池を提供しようとするものである。【構成】 基板101上に、微小な穴102Bを介して異種の金属が露出するようにアルミニュームの層102Aを形成し、該金属層の上に表面が適当なピッチの凹凸を有するテクスチャー構造である透明層103を設けて成る裏面反射層を形成し、その上に薄膜半導体接合104、透明電極108を形成して成る。【効果】 部分的に酸化の影響を受けない金属の部分を形成することにより、金属層の高い反射率を生かすことができ、かつ、シリーズ抵抗の増加を抑え、テクスチャー構造の成長を制御し得る。

Claim (excerpt)：

少なくともその表面が、アルミニューム又はアルミニュームの合金から成る第1の部分と、該第1の部分とは異なる金属から成る第2の部分とが混在した基板上に、少なくともその表面がテクスチャー構造を有する透明層が形成された裏面反射層の上に、薄膜半導体接合が形成され、更にその上に透明な電極が形成されたことを特徴とする薄膜半導体太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-099477
  
• 特開平4-094173
  
• 特開平2-090574