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J-GLOBAL ID：200903064203618976

薄膜単結晶デバイスの製造法

Inventor： 中川 克己 ,  岩根 正晃 ,  岩▲崎▼ 由希子 ,  米原 隆夫 ,  坂口 清文 ,  浮世 典孝
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999200531
Publication number (International publication number)：2001026500
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスを作り込む為の単結晶層を基板から薄膜として剥離する際に、単結晶層の品質の低下や、歩留まりの低下を防ぐ方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハ等の基板の表面に、多孔質層等の剥離層と、この上にエピタキシャル成長したシリコン層等の薄膜単結晶をこの順序の配列にて形成する。薄膜単結晶又はその上に付加的に形成した層の表面に、シート状部材を貼り付ける。このシート状部材を湾曲させる様に力を加えて薄膜単結晶を基板から剥離する。その際、{111}面等のこの薄膜単結晶の最も剥離しやすい面が薄膜の表面に現れてなすすべての直線の方向と薄膜単結晶が基板から剥離している最前線の方向とが5度以上の角度をなすように、薄膜単結晶の剥離を進める。この薄膜単結晶を利用して、太陽電池や画像表示素子駆動回路部材等を作り込む。

Claim (excerpt)：

基板の表面に剥離層と薄膜単結晶とをこの順序の配列にて形成し、前記薄膜単結晶の表面または前記薄膜単結晶の表面に付加的に形成した層の表面に可撓性のあるシート部材を貼り付け、さらに前記シート部材を湾曲させるように力を加えて前記シート部材とともに前記薄膜単結晶を前記基板から剥離し、前記薄膜単結晶を利用して薄膜単結晶デバイスを製造する方法であって、前記薄膜単結晶を基板から剥離するに際し、前記薄膜単結晶の最もへき開しやすい面が薄膜の表面に現れてなすすべての直線の方向と剥離の最前線の方向とが一致しないように、前記薄膜単結晶の剥離を進めることを特徴とする薄膜単結晶デバイスの製造法。

IPC (3)：

C30B 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C30B 33/00 ,  H01L 21/02 C ,  H01L 31/04 A

F-Term (11)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077FJ03 ,  5F051AA02 ,  5F051BA05 ,  5F051BA15 ,  5F051BA17 ,  5F051GA04 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06 ,  5F051GA20