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J-GLOBAL ID：200903064205894202
半導体レーザダイオード
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997303071
Publication number (International publication number)：1999145547
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】 npnトランジスタを用いた高速な駆動ICと組み合わせて用いることができ、かつ従来例と同等以上の性能を有するp型GaAs基板を用いて構成した半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 p型GaAsからなる半導体基板と、p型AlGaAs下クラッド層を含み半導体基板上に形成されたp型半導体層領域と、n型AlGaAs上クラッド層を含みp型半導体層領域上に活性層を介して形成されたn型半導体層領域とを備え、n型AlGaAs上クラッド層が、活性層に光を閉じ込めるために活性層のほぼ全面にわたって形成された第1の領域と活性層の所定の幅のレーザ発振領域に電流を集中して注入するためのリッジ部とからなる半導体レーザダイオードであって、n型AlGaAs上クラッド層が、x≧0.4に設定されたAlxGa1-xAsからなり、かつ6×1017cm-3以下のキャリア濃度を有する。
Claim (excerpt)：
p型GaAsからなる半導体基板と、p型AlGaAs下クラッド層を含み上記半導体基板上に形成されたp型半導体層領域と、n型AlGaAs上クラッド層を含み上記p型半導体層領域上に活性層を介して形成されたn型半導体層領域とを備え、上記n型AlGaAs上クラッド層が、上記活性層に光を閉じ込めるために上記活性層のほぼ全面にわたって形成された第1の領域と上記活性層の所定の幅のレーザ発振領域に電流を集中して注入するためのリッジ部とからなる半導体レーザダイオードであって、上記n型AlGaAs上クラッド層が、x≧0.4に設定されたAlxGa1-xAsからなり、かつ6×1017cm-3以下のキャリア濃度を有することを特徴とする半導体レーザダイオード。
Patent cited by the Patent：
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