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J-GLOBAL ID：200903064207100912

高誘電率膜の製造方法及び製造装置

Inventor： 矢野 資 ,  堀井 貞義 ,  浅井 優幸 ,  渡辺 智司 ,  星野 正和 ,  加賀爪 明子 ,  横山 真吾 ,  藤本 貴行 ,  野内 英博
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 鈴木 市郎 ,  武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002227435
Publication number (International publication number)：2004071757
Application date： Aug. 05, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】不純物が少なく、表面が平坦な高誘電率薄膜を高効率で製造することのできる高誘電率膜の製造方法を提供する。【解決手段】真空チャンバ101内に処理ガス106を導入し、前記真空チャンバ101内に収容した半導体ウエハ104表面に高誘電率の誘電体薄膜を形成する高誘電率薄膜の製造方法において、前記真空チャンバ101内に前記処理ガス106として、ハフニウム、ジルコニウム、チタン、アルミニウム、バリウム、ストロンチウム、タンタル、ランタン、及びプラセオジムのいずれか1つ以上の金属を含む有機金属化合物の気化物と水蒸気113を同時に供給する。【選択図】 図11

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内に処理ガスを導入し、前記真空チャンバ内に収容した半導体ウエハ表面に高誘電率の誘電体薄膜を形成する高誘電率薄膜の製造方法において、 前記真空チャンバ内に前記処理ガスとして、ハフニウム、ジルコニウム、チタン、アルミニウム、バリウム、ストロンチウム、タンタル、ランタン、及びプラセオジムのいずれか1つ以上の金属を含む有機金属化合物の気化物と水蒸気を同時に供給することを特徴とする高誘電率薄膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L21/316 ,  C23C16/18 ,  H01L21/31 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

FI (5)：

H01L21/316 X ,  C23C16/18 ,  H01L21/31 B ,  H01L27/04 C ,  H01L29/78 301G

F-Term (58)：

4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE13 ,  5F045EF05 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA15 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10