Pat
J-GLOBAL ID:200903064227095338
金属酸窒化膜の製造方法および絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002008335
Publication number (International publication number):2003209110
Application date: Jan. 17, 2002
Publication date: Jul. 25, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ホウ素の突き抜けを抑止するゲート絶縁膜材料となる金属酸窒化膜を提供し、その製造方法によりゲート絶縁膜を形成することにより絶縁ゲート型電界効果トランジスタの性能の向上を図る。【解決手段】 ALD法を用いて、「金属元素を含む第1反応物の導入」03により、金属元素を含む第1反応物を導入して基板上に金属元素を化学吸着させて金属の層を形成し、その後に「酸素を含む第3反応物の導入」05酸素を含む第2反応物を導入して基板に吸着した第1反応物と反応させて酸素の層を形成する工程と、「金属元素を含む第1反応物の導入」07により、金属元素を含む第1反応物を導入して金属元素を化学吸着させて金属の層を形成し、その後に「窒素を含む第3反応物の導入」09により窒素を含む第3反応物を導入して吸着した第1反応物と反応させて窒素の層を形成する工程とを行う。
Claim (excerpt):
ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて、金属の層を形成してその後に酸素の層を形成する工程と、金属の層を形成してその後に窒素の層を形成する工程とを行うことを特徴とする金属酸窒化膜の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/318
, H01L 21/316
, H01L 29/78
FI (5):
H01L 21/318 C
, H01L 21/318 M
, H01L 21/316 C
, H01L 21/316 M
, H01L 29/78 301 G
F-Term (17):
5F058BA05
, 5F058BD02
, 5F058BD05
, 5F058BD12
, 5F058BF01
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BJ01
, 5F140AA06
, 5F140AA24
, 5F140AA28
, 5F140AC01
, 5F140BD04
, 5F140BE09
, 5F140BF01
, 5F140BF04
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