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J-GLOBAL ID：200903064227673137

磁気抵抗変換器の作成方法

Inventor： ジヤケ,ジヤン-クロード ,  バレ,テイエリー
Applicant, Patent owner： トムソン-セーエスエフ
Agent (1)： 川口 義雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996515791
Publication number (International publication number)：1997507970
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】本発明は、カソードスパッタリングまたは分子線エピタキシによってデポジットした磁性金属多層中に、マイクロリソグラフィ技法により、その側面が絶縁材で覆われ、その頂点が覆われない柱を形成する方法であり、これによって層平面と垂直に電流が流れるようになり、かつ垂直巨大磁気抵抗現象が利用できるようになる。この方法は、基板(10)の表面に、基板と接触する第1導体層(8)と、該導体層(8)と接触する磁性金属多層(7)を構成する磁性層と非磁性金属層の交互の層とからなるスタックを形成する第1段階を含み、次いで、磁性金属多層(7)上に第2導体層を形成する第2段階と、形成すべき磁気抵抗感受性要素の寸法をもつ樹脂製の第1マスク(12、18)を形成する第3段階と、マスクの周囲で第2導体層と磁性金属多層(7)をエッチングする第4段階と、構造上に絶縁層をデポジットする第5段階と、樹脂製マスク及びこの樹脂上にある絶縁層を除去する第6段階と、第2導体層上に接点(21)を設ける第7段階とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板表面に、基板(10)と接触する第1導体層(8)と、該導体層(8)と接触する磁性金属多層(7)を構成する磁性層と非磁性層の交互の層とからなるスタックを形成する第1段階を含む、磁気抵抗変換器の形成方法であって、次に、 磁性金属多層(7)上に第2導体層(9)を形成する第2段階と、 形成すべき磁気抵抗感受性要素の寸法を有する樹脂製の第1マスク(12、18)を形成する第3段階と、 マスクの周囲で第2導体層(9)と磁性金属多層(7)とをエッチングする第4段階と、 構造上に絶縁層をデポジットする第5段階と、 樹脂製マスクとこの樹脂製マスク上にある絶縁層とを除去する第6段階と、 第2導体層(9)上で接点を設ける第7段階と を含むことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R