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J-GLOBAL ID：200903064231908327

半導体レーザ装置及びその作製方法

Inventor： 成井 啓修
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999223574
Publication number (International publication number)：2001053373
Application date： Aug. 06, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 2個の半導体レーザ素子を有し、しかも、光検出器を別途設ける必要のないような構成を備えた半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ装置10は、相互に波長の異なる2つの半導体レーザ素子及び反射鏡がモノリシックに構成されており、ヒートシンク12上に相互に近接して配置された、発光波長650nmのレーザ光を出射する、AlGaInP系の第1の半導体レーザ素子14及び第1の半導体レーザ素子14と同じ方向に発光波長780nmのレーザ光を出射する、AlGaAs系の第2の半導体レーザ素子16と、第1の半導体レーザ素子14のリヤ側に設けられた第1の反射鏡18と、第2の半導体レーザ素子16のリヤ側に設けられた第2の反射鏡20とを備えている。第1及び第2の半導体レーザ素子は、相互に他方の光検出器として機能する。

Claim (excerpt)：

第1の半導体レーザ素子と、第1の半導体レーザ素子と同じ方向にレーザ光を出射する第2の半導体レーザ素子とを備えた半導体レーザ装置において、第1の半導体レーザ素子のリヤ側に設けられた第1の反射鏡と、第2の半導体レーザ素子のリヤ側に設けられた第2の反射鏡とを備え、第1の反射鏡と第2の反射鏡とは、第1の半導体レーザ素子のリヤ側から出射したレーザ光を第1の反射鏡及び第2の反射鏡を経由して第2の半導体レーザ素子のリヤ側に入射させるように、逆に、第2の半導体レーザ素子のリヤ側から出射したレーザ光を第2の反射鏡及び第1の反射鏡を経由して第1の半導体レーザ素子のリヤ側に入射させるように、配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

F-Term (9)：

5F073AB06 ,  5F073AB13 ,  5F073AB29 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073DA14 ,  5F073DA31 ,  5F073DA35