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J-GLOBAL ID:200903064239826753

薄膜作成方法と薄膜作成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992166407
Publication number (International publication number):1994010119
Application date: Jun. 24, 1992
Publication date: Jan. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 ターゲットに励起光を照射して薄膜を作成する薄膜作成方法および薄膜作成装置に関し、大面積の表面上に均一な膜厚を有し、かつ膜厚を精度よく制御した薄膜を成長することのできる薄膜作成方法および薄膜成長装置を提供することを目的とする。【構成】 ターゲットに対向して薄膜成長用下地基板を配置する工程と、前記ターゲットにシンクロトロン放射光を照射して、ターゲット物質のアブレーションを生じさせる工程とを含む。
Claim (excerpt):
ターゲットに対向して薄膜成長用下地基板を配置する工程と、前記ターゲットにシンクロトロン放射光を照射して、ターゲット物質のアブレーションを生じさせる工程とを含む薄膜作成方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平3-056670
  • 特開平3-288422

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