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J-GLOBAL ID：200903064240954498

電界効果トランジスタ

Inventor： 杉浦 政幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996243588
Publication number (International publication number)：1998092845
Application date： Sep. 13, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高周波特性を劣化させることなく、Id -Vgs特性の緩やかな電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタを複数の閾値電圧を持つトランジスタを並列接続して構成する。具体的には、ゲート電極の一部をチャンネル領域となる半導体層から離して形成した部分を有するゲート電極を形成する等の手法を用いる。ゲート電極の一部が半導体層から離れた部分の幅は、両側から延びる空乏層でピンチオフできるように選ばれる。

Claim (excerpt)：

ソース領域とドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域との間を流れる主電流を制御するゲート領域とを少なくとも具備する電界効果トランジスタであって、該ゲート領域は閾値電圧が異なる複数の部分から構成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (4)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C