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J-GLOBAL ID：200903064246907360

光半導体装置

Inventor： 松倉 祐輔 ,  田中 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999214614
Publication number (International publication number)：2001044487
Application date： Jul. 29, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光半導体装置に関し、単位画素面内に発光或いは受光の波長域を異にする複数の光半導体素子を形成できるようにして集積度の向上、及び、配線構造の簡易化を実現しようとする。【解決手段】 単位画素面内にpn接合或いはショットキ接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異にする第一の活性層12及び第二の活性層13など複数の活性層が含まれ且つ各活性層のうち少なくとも一つ、即ち、第二の活性層13は選択再成長されたものである。

Claim (excerpt)：

単位画素面内にpn接合或いはショットキ接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異にする複数の活性層が含まれ且つ該各活性層のうち少なくとも一つは選択再成長されたものであることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01L 31/12 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 31/12 B ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/10 A

F-Term (30)：

5F041AA12 ,  5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA02 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CB23 ,  5F041CB29 ,  5F041FF01 ,  5F049MA02 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NA19 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049QA16 ,  5F049RA04 ,  5F049SS04 ,  5F049WA03 ,  5F089AA10 ,  5F089AB17 ,  5F089AC07 ,  5F089CA20