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J-GLOBAL ID：200903064250675406

透明絶縁性基板および薄膜トランジスタ

Inventor： 世良 賢二
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333995
Publication number (International publication number)：1995202208
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光透過性に優れた低コストガラス基板、及び低コスト基板上の薄膜トランジスタ、特にエキシマレーザアニールプロセスに適するガラス基板材料と薄膜トランジスタを得る。【構成】 SiO2 を主成分とし、Al2 O3 、B2 O3 、BaO、CaO、ZnO、SrOのうちの1種以上の成分を5wt%以上含みNa2 O、K2 O、Li2 Oの成分が0.1wt%以下である透明絶縁性基板においてFe3+イオンの濃度を0.005%以下に低減する事によって、基板コスト、歪点、耐酸性を劣化させる事なくガラス基板の紫外域での透過率を改善する。またこのガラス基板を用いて紫外レーザーアニール結晶化法を用いて薄膜トランジスタを作製することにより、従来の基板での問題点であった、レーザ照射時の基板ダメージや、基板加熱状態の変動による薄膜のばらつきを排除し、低コスト基板上で均一に性能の優れたトランジスタを得る。

Claim (excerpt)：

SiO2 を主成分とし、Al2 O3 、B2 O3 、BaO、CaO、ZnO、SrOのうち少なくとも1種以上の成分を5wt%以上含みNa2 O、K2 O、Li2 Oの成分が0.1wt%以下である透明絶縁性基板において、Fe3+イオンが0.005%以下であることを特徴とする透明絶縁性基板。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  C30B 1/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 Y