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J-GLOBAL ID：200903064251574085
銅膜のエツチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263600
Publication number (International publication number)：1993102094
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 銅膜の異方性エッチングを、高精度で、且つ高選択比で行なうことを達成させる。【構成】 半導体基板上に形成したCu膜25を、以下の条件で反応性イオンエッチングする。エッチングガス:ヨウ化メチル(100SCCM),圧力:0.02Torr,RFパワー:250W,基板温度:170°Cこのようなエッチングにより、銅はヨウ素又はヨウ素ラジカルと反応しヨウ化銅となりエッチングされる。また、ヨウ化メチルに含まれるカーボンは配線側壁に付着して保護膜として作用するが、マイクロ波ダウンフローアッシング装置を用いてレジスト除去する際に除去することができる。このようなエッチングにより、精高の良い銅膜のエッチングが達成できる。
Claim (excerpt)：
分子中に、ヨウ素(I)と炭素(C)を含むガスを、エッチングガスとして用いて銅膜をエッチングすることを特徴とする銅膜のエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/3205
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 M
Cited by examiner (6)
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