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J-GLOBAL ID：200903064256622223

半導体装置

Inventor： 近藤 将夫 ,  堀内 勝忠 ,  今村 慶憲
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991204302
Publication number (International publication number)：1993048073
Application date： Aug. 14, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】チップ間の電気配線の抵抗、容量、インダクタンスによる信号伝達遅延をなくしたマルチチップ方式の半導体装置を提供すること。【構成】Si基板1上に、光導波路3、金属配線14が形成されている。ホトダイオード12a、レーザーダイオード12bと電子集積回路を同じチップ上に配置した光電子集積回路チップ4がこのSi基板1に貼り付けられ、かつ、チップ4は、ホトダイオード12a、レーザーダイオード12bと光導波路3が光学的に接続するように、またSi基板1上の金属配線14とチップ上のボンディングパッドが電気的に接続するように位置合わせされている。

Claim (excerpt)：

電子素子集積回路と光素子とが同一基板上に設けられた光電子集積回路のチップの複数個が配置され、かつ光導波路が設けられた支持基板を有し、該チップは、該光素子と該光導波路とが光学的に接続する位置に配置されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (12)：

H01L 27/15 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/42 ,  H01L 23/538 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/16 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/12 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H03K 3/42

FI (3)：

H01L 23/52 A ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 27/14 Z