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J-GLOBAL ID：200903064267775552

アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法

Inventor： 藤井 壽崇 ,  加島 篤 ,  藤井 一宏 ,  岡本 巌 ,  二井 裕之
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991339502
Publication number (International publication number)：1993147933
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜型のコンデンサー素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提供する。【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )-酸化ビスマス(Bi2 O3 )-パイロクロア型化合物(A2 B2 O7 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とする。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、A2 B2 O7 は強誘電性、反強誘電性または常誘電性を示すパイロクロア型化合物である。)

Claim (excerpt)：

遷移金属酸化物(M2 O3 )-酸化ビスマス(Bi2 O3 )-Pyrochlore型化合物(A2 B2 O7 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とするアモルファス強誘電体酸化物材料。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、A2 B2 O7 は強誘電性または反強誘電性を示すPyrochlore型化合物である。)

IPC (5)：

C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ,  C01G 49/00 ,  H01B 3/00 ,  H01G 7/06