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J-GLOBAL ID：200903064277129152

半導体装置

Inventor： 山川 君男 ,  一色 実 ,  大谷 淑子 ,  峰 勝利
Applicant, Patent owner： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997215769
Publication number (International publication number)：1999045975
Application date： Jul. 25, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 優れた耐熱衝撃性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方の、温度-65°C、せん断周波数10Hzにおける複素弾性率が1×109dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方の、温度-65°C、せん断周波数10Hzにおける複素弾性率が1×109dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 C ,  H01L 23/30 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-091448
  
• 特開昭62-149157