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J-GLOBAL ID：200903064279509149

半導体波長変換素子

Inventor：
西 研一

About 西 研一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999140764
Publication number (International publication number)：2000330150
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 低パワーで動作し、また入射光の波長と比べて短波側にも長波側にも波長を変換することを可能とする半導体波長変換素子を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に積層された多層膜構造よりなる半導体波長変換素子であって、多層膜構造に電流を注入する手段(例えば電極8)と、この電流注入によって発光する活性層と、を備えてなり、活性層が、半導体ヘテロ構造による電子の閉じ込めの寸法が100nm以下とされかつ電子の閉じ込め次元が2次元以上であるような量子細線4からなる半導体量子微細構造よりなっている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に積層された多層膜構造よりなる半導体波長変換素子であって、前記多層膜構造に電流を注入する手段と、この電流注入によって発光する活性層と、を備えてなり、前記活性層が、半導体ヘテロ構造による電子の閉じ込めの寸法が100nm以下とされかつ電子の閉じ込め次元が2次元以上であるような量子細線または量子ドットからなる半導体量子微細構造よりなっていることを特徴とする半導体波長変換素子。
IPC (2)：
G02F 2/02 ,  H01S 5/343
FI (2)：
G02F 2/02 ,  H01S 3/18 677
F-Term (6)：
2K002AB12 ,  2K002CA13 ,  5F073AA75 ,  5F073AB22 ,  5F073CA07 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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