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J-GLOBAL ID：200903064280413830

ポジ型フオトレジスト組成物

Inventor： 河辺 保雅 ,  小久保 忠嘉
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991254963
Publication number (International publication number)：1993094011
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子製造分野に於て急速に進行している加工寸法の微細化に対応するために、高感度で、寸法安定性にきわめて優れたレジストパターンを形成しうるポジ型フオトレジスト組成物、即ち、プリベーキング条件によつてレジスト性能が低下することがなく、しかもハレーシヨン防止効果の高い、従って解像力の高いレジストパターンを形成することのできるポジ型フオトレジスト組成物を提供する。【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、アルカリ可溶性樹脂、1,2ーナフトキノンジアジド基を含む化合物、及び下記一般式(I)で表される化合物の少なくとも1種を全固形分の0.1〜10重量%含む。【化1】ここで、R1〜R14は同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、ジ(アルキル)アミノ基、もしくは1価の有機残基を表し、R3,R8の少なくとも一方は水酸基を表す。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性樹脂及び1,2ーナフトキノンジアジド基を含む化合物から成るポジ型フオトレジスト組成物において、更に下記一般式(I)で表される化合物の少なくとも1種を全固形分の0.1〜10重量%含むことを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1〜R14は同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、ジ(アルキル)アミノ基、もしくは1価の有機残基を表し、R3,R8の少なくとも一方は水酸基を表す。

IPC (2)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027