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J-GLOBAL ID:200903064288845232
樹脂封止型半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高田 幸彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992013695
Publication number (International publication number):1993206374
Application date: Jan. 29, 1992
Publication date: Aug. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】高集積かつ小型で電気特性の優れた樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】半導体素子の回路形成面1a-u上には、絶縁部材2-uを介して共用及び信号用リード3-uを接着し、共用リード3a-uより内側の半導体素子1-uの中央部で、共用及び信号用リード3-uと半導体素子1とを金属細線4-uにより電気的に接続し、半導体素子1-lの回路形成面上1a-lには、絶縁部材2-lを介して共用リード3a-lのみを接着し、信号用リード3b-lは、半導体素子1よりも外側に配置し、共用リード3a-lよりも外側の半導体素子1-l端部で、共用及び信号用リード3-lと半導体素子1-lとを金属細線4-lにより電気的に接続し、半導体素子1-u及び1-lの回路形成面1a-u及び1a-lが対向し、必要に応じてリード3-uと3-lとを接合し、樹脂5で封止する。
Claim (excerpt):
複数の半導体素子と共用及び信号用リードと、前記半導体素子及びリードとを電気的に接続する金属細線とをそれぞれ少なくとも一対備え、それらの全部または一部を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、少なくとも一対の前記半導体素子は回路形成面同士が対向し、前記半導体素子の平面上のそれぞれの金属細線の位置を異にし、必要に応じてそれぞれのリードを接合したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
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