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J-GLOBAL ID：200903064289285109

MOSトランジスタ

Inventor： 角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289131
Publication number (International publication number)：1993102074
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、シリサイド化反応において、Ti膜と反応しないサイドウォールを形成することで、サイドウォールを介して発生するゲートとソース・ドレイン領域間のリーク電流を低減し、デバイスの電気的特性の向上を図る。【構成】 ゲート15の側壁に、半導体の窒化物として例えば窒化シリコンでサイドウォール18,19を形成し、かつソース・ドレイン領域22,23の上面とゲート15の上面とにシリサイドよりなる低抵抗層24,25,26を形成したものである。あるいは、上記構成のMOSトランジスタ10において、サイドウォール18,19とゲート15の側壁との間およびサイドウォール18,19とソースドレイン領域22,23との間に、例えば酸化シリコンよりなるストレス緩和層(図示せず)を設けたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けたゲートと、前記ゲートの側壁に設けたサイドウォールと、前記ゲートの両側の前記半導体基板の上層に形成したソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域の上面に形成した低抵抗層とよりなるMOSトランジスタにおいて、前記サイドウォールを半導体の窒化物で形成したことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-211277
  
• 特開昭63-318779
  
• 特開平1-109766