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J-GLOBAL ID:200903064289426241

酸化物超電導体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991262217
Publication number (International publication number):1993097434
Application date: Oct. 09, 1991
Publication date: Apr. 20, 1993
Summary:
【要約】【目的】 BaCuO<SB>2</SB>を含有しないLn-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(Ln=Y又はランタンノイド族元素、例えばLa、Yb、Y、Nd・・・)の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 出発原料として、Ln:Ba:Cu=1+2δ:2+δ:3+δ(ここで、0<δ<0.5)とするLn<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、BaCO<SB>3</SB>及びCuOを準備する。その後、出発原料をプラズマ溶融冷却法により固溶体を作成する。その後、この固溶体を室温から1050°Cまで10〜20分間程度で急速に昇温した後、1050°Cにて30分〜1時間程度保持して出発原料を完全に溶融する。その後、1000°Cまで2〜10°C/hrで冷却し、1000°Cから室温までを10〜20時間程度で徐冷してLnBa<SB>2</SB>Cu<SB>3</SB>O<SB>X</SB>とLn<SB>2</SB>BaCuO<SB>5</SB>からなる超電導体を作製する。
Claim (excerpt):
Ln-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(Ln=Y又はランタノイド族元素)の製造方法において、出発原料に含有されるLn、Ba、及びCuのモル比がLn:Ba:Cu=1+2δ:2+δ:3+δ(ここで、0<δ<0.5)であり、該出発原料から作成された作成物を酸素雰囲気中において加熱溶融することを特徴とするLn-Ba-Cu-O系酸化物超電導体の製造方法。
IPC (6):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/60 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA

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