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J-GLOBAL ID：200903064296617737

集積回路

Inventor：
大川 真賢

About 大川 真賢


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161242
Publication number (International publication number)：1993013443
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】薄膜トランジスタのゲート電極上の半導体薄膜のチャネル領域上部に信号線が通る構成の集積回路において、信号線の電位が急激に変動しても薄膜トランジスタに影響を与えない様にする。【構成】薄膜トランジスタのチャネル領域5b,ソース領域5c上に第2の絶縁膜6を介してシールド電極8を設け、シールド電極8の電位をソース領域5cと同電位に固定する。シールド電極8と信号線7の間には寄生容量C1が、シールド電極8とチャネル5bの間には寄生容量C11が直列に存在する。しかしながら、シールド電極8の電位が固定されている為、信号線7の電位が急激に変動しても寄生容量C11のカップリングによるチャネル領域5bの電位変動は起きない。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一主面上に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の導体層からなるゲート電極、前記第1の導体層上に設けられたゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体薄膜からなる薄膜トランジスタのチャネル領域上に第2の絶縁膜を介して設けられ固定電位端に接続される第2の導体層からなるシールド電極と、前記シールド電極上に第3の絶縁膜を介して設けられた第3の導体層からなる信号線とを有することを特徴とする集積回路。
IPC (3)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/11
FI (3)：
H01L 29/78 311 Z ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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