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J-GLOBAL ID：200903064304912786

マルチチップモジュール及びその製造方法

Inventor： 落合 良一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136744
Publication number (International publication number)：1993335478
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は回路の高速性と高放熱性を両立することのできるマルチチップモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】多層の導体パターン14を有する高熱伝導性基板12と、電極17が設けられた面と反対側の面で該高熱伝導性基板12に接合された複数のLSIチップ16と、各LSIチップ16の電極17に接続された多層の導体パターン18を有し、前記LSIチップ16を埋め込むように前記高熱伝導性基板12上に設けられた多層埋込み層20と、該多層埋込み層20の最上層の導体パターン18上に設けられた複数の金属バンプ22とから構成する。

Claim (excerpt)：

多層の導体パターン(14)を有する高熱伝導性基板(12)と、電極(17)が設けられた面と反対側の面で該高熱伝導性基板(12)に接合された複数のLSIチップ(16)と、各LSIチップ(16)の電極(17)に接続された多層の導体パターン(18)を有し、前記LSIチップ(16)を埋め込むように前記高熱伝導性基板(12)上に設けられた多層埋込み層(20)と、該多層埋込み層(20)の最上層の導体パターン(18)上に設けられた複数の金属バンプ(22)とを具備したことを特徴とするマルチチップモジュール。

IPC (2)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18