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J-GLOBAL ID：200903064308559100

半導体基板の処理方法

Inventor： 村松 良徳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264470
Publication number (International publication number)：1994120190
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体基板の純水によるリンス処理の際に、自然酸化膜の成長、微粒子の付着、および金属イオンの沈積を防ぐ。【構成】薬液処理後の半導体基板を10〜50ppmのフッ化水素と10〜50ppmの過酸化水素を添加した純水で処理する。

Claim (excerpt)：

半導体基板を薬液処理したのちこの半導体基板を純水でリンスする半導体基板の処理方法において、前記純水中に10〜50ppmのフッ化水素と10〜50ppmの過酸化水素またはオゾンを添加することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/60 ,  C11D 7:08 ,  C11D 7:18