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J-GLOBAL ID：200903064310322281

半導体ウェーハ処理液

Inventor： 平 塚 八 郎 ,  宮 下 守 也 ,  加 藤 るみ子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103191
Publication number (International publication number)：1994041773
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Feb. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 パーティクル、金属の双方に対し良好な除去効果を有するとともに、洗浄工程の簡略化を図ることができる半導体ウェーハ用処理液を提供すること。【構成】 水性溶媒とアルカリ性成分とからなるウェーハ処理液であって、該処理液中に、ウェーハ表面への金属の吸着作用を抑制する吸着防止剤が添加されてなることを特徴とする半導体ウェーハ処理液。

Claim (excerpt)：

水性溶媒とアルカリ性成分とからなるウェーハ処理液であって、該処理液中に、ウェーハ表面への金属の吸着作用を抑制する吸着防止剤が添加されてなることを特徴とする、半導体ウェーハ処理液。

IPC (4)：

C23G 1/14 ,  C23F 1/40 ,  C30B 33/10 ,  H01L 21/304 341