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J-GLOBAL ID：200903064314871565

有機金属化学気相成長方法および有機金属化学気相成長装置

Inventor： 藪田 久人
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998015668
Publication number (International publication number)：1999214329
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機金属化合物(MO)イオンの衝突による基板や堆積物に与えるダメージを軽減し、高品質な薄膜を基板面内に均一に、あるいは所望の分布をもって堆積させることのできる有機金属化学成長方法を提供する。【解決手段】コイル5により、基板3表面に垂直に磁力線が交わるように、かつ、基板に近づくにつれて磁束密度が大きくなるように磁場を印加する。この状態で、基板3に対して0〜45度の方向から基板3の垂直上方に位置する点に向けてMOイオンビーム9を照射し、基板表面に金属化合物薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

成膜室内に有機金属化合物イオンを含む反応ガスを供給し、該成膜室内に設置された基板の主面上に金属膜または金属化合物膜を形成させる化学気相成長方法において、基板表面に垂直に磁力線が交わるように磁場を印加した状態で基板に対して斜めの方向から基板の垂直上方に位置する点に向けて有機金属化合物イオン流束を照射することを特徴とする有機金属化学気相成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/205