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J-GLOBAL ID：200903064326201336

変調歪補償半導体装置

Inventor： 東郷 仁麿 ,  若林 信一 ,  豊田 幸雄 ,  武内 喜則
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996178893
Publication number (International publication number)：1998027934
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光通信や光情報処理の分野等のなどにおける光変調器や波長変換器などに好適に適用可能であって、複雑な電気回路を必要とせず、注入用レーザの直接変調時に生じたチャーピングだけでなく、変調歪も同時に抑制する変調歪補償半導体装置を提供する。【解決手段】 ファブリペローモードを有し変換光を出射する変換用半導体レーザ11に対して、注入用半導体レーザ13から変調可能である注入光を入射する構成を備え、注入光の波長は、変換用半導体レーザ11のファブリペローモードに対応した波長から所定量ずれており、変換光に含まれる変調歪が除去され得る構成を有する変調歪補償半導体装置である。

Claim (excerpt)：

少なくとも一つのファブリペローモードを有し変換光を出射する変換用半導体レーザと、変調可能であって前記変換用半導体レーザの活性領域の少なくとも一部に注入される注入光を出射する注入用半導体レーザとを備え、前記注入光の波長は、前記変換用半導体レーザのファブリペローモードに対応した波長から所定量ずれており、前記変換光に含まれ得る変調歪が除去される変調歪補償半導体装置。