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J-GLOBAL ID：200903064345310863

プラズマCVD装置のクリーニング方法

Inventor： 石川 道夫 ,  谷 典明 ,  中村 久三 ,  伊東 一幸 ,  橋本 征典 ,  戸川 淳 ,  一山 政博 ,  米崎 武
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289931
Publication number (International publication number)：1994140342
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD装置のエッチングクリーニングを短時間で行なう方法を提供する【構成】 プラズマCVD装置の真空処理室2内の構成部材のクリーニングを反応性ガスの代わりにCF4等のエッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにした方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさらされる電極13等の部材の少なくとも表面をニッケルその他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、これらの部材を含む該真空処理室内が200°C以上の加熱状態で該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにした【効果】 迅速にプラズマクリーニングを終了することができ、装置稼働効率を高めることができる

Claim (excerpt)：

排気系を備えたプラズマCVD装置の真空処理室内に互いに対向する電極を設け、その一方の電極に直流もしくは交流の電源を接続し、他方の電極に基板を装着してこれを該一方の電極に対して電位差を与え、該真空処理室内にSi2H6等の反応性ガスを導入しながらプラズマを発生させて該基板に成膜した後、該真空処理室内の電極等の構成部材の部材の表面のクリーニングを該反応性ガスの代わりにCF4等のエッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにしたプラズマCVD装置のクリーニング方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさらされる電極等の部材の少なくとも表面をニッケルその他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、これらの部材を含む該真空処理室内が200°C以上の加熱状態で該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置のクリーニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-089672
  
• 特開昭59-184527