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J-GLOBAL ID：200903064346370100

高周波放電装置

Inventor： 彦坂 幸信
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994046091
Publication number (International publication number)：1995254498
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ発生室のエッチングを抑制することで、プラズマ発生室の耐久性を向上させると共に、プラズマ発生室から放出される不純物の量を減少させて半導体製造における良質なプロセス特性を得ることができる高周波放電装置を提供することにある。【構成】 石英壁(絶縁物)20により形成されたプラズマ発生室12の外側にRFアンテナ(アンテナ)13を配置し、RFアンテナ13に高周波電流を流してプラズマ発生室12内にプラズマを生成する高周波放電装置において、プラズマ発生室12を冷却してプラズマ発生室12の表面温度を低下させる冷却装置(冷却手段)14を有する。

Claim (excerpt)：

絶縁物により形成されたプラズマ発生室の外側にアンテナを配置し、前記アンテナに高周波電流を流して前記プラズマ発生室内にプラズマを生成する高周波放電装置において、前記プラズマ発生室を冷却して前記プラズマ発生室の表面温度を低下させる冷却手段を有することを特徴とする高周波放電装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C